书名：硅基高K氧化物锶硅界面缓冲层的研究
书号：978-7-5684-1030-4
作者：杜文汉 著者
开本：1/32
书类：学术专著
定价：35元
详细介绍：
Sr/Si界面在晶形高介电常数(k)氧化物-半导体体系的外延生长中具有重要的作用, 是形成外延高k氧化物必不可少的缓冲界面层。本书深入研究了不同Sr/Si再构表面的几何及电子结构，并探讨相关的物理机制。
